Almacenamiento FLASH

La memoria flash es una manera desarrollada de la memoria EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory) que permite que múltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operación de programación mediante impulsos eléctricos, frente a las anteriores que sólo permite escribir o borrar una única celda cada vez. Por ello, flash permite funcionar a velocidades muy superiores cuando los sistemas emplean lectura y escritura en diferentes puntos de esta memoria al mismo tiempo. Tradicionalmente sólo almacenan un bit de información.

Las nuevas memorias flash, llamadas también dispositivos de celdas multi-nivel, pueden almacenar más de un bit por celda variando el número de electrones que almacenan. Este tipo de memoria es no volátil, por eso se la utiliza como medio de almacenamiento masivo de datos (se hizo una introducción como futuro HD). Sin embargo, todos los tipos de memoria flash sólo permiten un número limitado de escrituras y borrados, generalmente entre 10.000 y un millón, dependiendo de la celda, de la precisión del proceso de fabricación y del voltaje necesario para su borrado. Este tipo de memoria está fabricado con puertas lógicas NOR y NAND para almacenar los 0‟s ó 1‟s correspondientes.

Para no entrar en demasiado detalle en el funcionamiento de cada tipo, simplemente se van a comparar los aspectos más valorados:

• La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente bastante mayor en las memorias NAND.
• El coste de NOR es mucho mayor.
• El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado a bloques para su modificación. Sin embargo, NAND ofrece tan solo acceso directo para los bloques y lectura secuencial dentro de los mismos.
• En la escritura de NOR se puede llegar a modificar un solo bit. Esto destaca con la limitada reprogramación de las NAND que deben modificar bloques o palabras completas.
• La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50-100 ns) frente a NAND (10 μs de la búsqueda de la página + 50 ns por byte).
• La velocidad de escritura para NOR es de 5 μs por byte frente a 200 μs por página en NAND.
• La velocidad de borrado para NOR es de 1 s por bloque de 64 KB frente a los 2 ms por bloque de 16 KB en NAND.
• La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy alta, es relativamente inmune a la corrupción de datos y tampoco tiene bloques erróneos frente a la escasa fiabilidad de los sistemas NAND que requieren corrección de datos y existe la posibilidad de que queden bloques marcados como erróneos e inservibles.

En resumen, los sistemas basados en NAND son más baratos y rápidos pero carecen de una fiabilidad que los haga eficientes, lo que demuestra la necesidad imperiosa de un buen sistema de archivos. Dependiendo de qué sea lo que se busque, merecerá la pena decantarse por uno u otro tipo. Además del conocido formato pen drive con conector USB existen otros formatos tipo tarjetas de memoria utilizados para dispositivos como cámaras digitales, Pcket PC, PDA, dispositivos de navegación y telefonía. Muchos de estos formatos son compatibles con un simple adaptador.

Para las PC vienen unidades especialmente preparadas para leer prácticamente todos los formatos. Estas unidades pueden ser externas mediante un conector USB o internas instaladas en una bahía de 3½”.